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2N7002 N溝道增強型場效應晶體管 60V，0.115A，7.5Ω，SOT23（或不同封裝）

2N7002(SOT-23)封裝引腳圖如下 (圖片)

描述

此N溝道增強模式MOSFET是使用高單元密度的溝槽MOSFET技術生產的。此產品可最大程度地降低導通電阻，同時具備強固、可靠和快速開關性能。此產品可用于最高要求400mA DC的大多數應用，可以提供高達2A的脈沖電流。這些產品尤其適合低電壓、低電流應用，如小型伺服電機控制、功率MOSFET門極驅動器和其他開關應用。

特性

高密度單元設計可實現極低的RDS(ON)。

電壓控制的小型信號開關。

堅固而可靠。

高飽和電流能力。

應用

該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。小型伺服電機控制功率MOSFET柵極驅動器

2N7002主要參數

極性：NPN

漏源電壓(VDS)：60(V)

柵源電壓(VGS)：±20(V)

單脈沖雪崩電流(IAS)：*(A)

漏極電流-連續(ID)：115(mA)

漏極電流-脈沖(IDM)：800(mA)

單脈沖雪崩能量(EAS)：*(mJ)

重復雪崩能量(EAR)：*(mJ)

二極管恢復峰值(dv/d)：*(V/ns)

功耗(PD)：200(mW)

工作與貯存溫度范圍(TJ,TSTG)：-55~150(°С)

熱阻-結到環境(RθJA)：625(°C/W)

熱阻-結到外殼(RθJC)：*(°C/W)

焊接的最高引線溫度(TL)：300(°С)

2N7002封裝尺寸

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